▲삼성전자는 최첨단 EUV 시스템 반도체에 3차원 적층 기술을 업계 최초로 적용했다. 사진=삼성전자 제공
반도체 시황 악화에도 불구하고 삼성전자가 지난해 4분기 D램 점유율 46%에 근접한 수치를 기록해 2016년 3분기 이후 최대치를 냈다.
27일 옴디아는 삼성전자의 지난해 4분기 D램 점유율이 45.7%로 1위를 수성했다고 밝혔다. 이는 2016년 3분기 48.2% 이래 가장 높은 수치다. 삼성전자 점유율은 직전 분기 38.7%보다 7%p 높아져 2위 SK하이닉스와의 격차도 14%p가량 벌렸다.
SK하이닉스의 점유율은 31.7%, 3위 마이크론 19.1%로 나타났다.
지난해 3분기 52억1300만달러였던 삼성전자 D램 매출은 4분기 80억달러로 53.5%로 껑충 뛰어 6개 분기 만에 첫 상승세를 보였다. 같은 기간 SK하이닉스의 D램 매출은 46억3400만달러에서 55억5천500만달러로 19.9% 신장했다.
전 분기보다 4분기 삼성전자 D램 평균 가격은 모바일 D램 가격 상승 덕에 12%, 출하량은 16% 증가했다. 특히 DDR5와 고대역폭 메모리(HBM) 등 고부가가치 제품 매출이 대폭 상승해 매출 확대에 큰 도움이 됐다는 분석이다. 삼성전자는 SK하이닉스와 함께 HBM 시장을 사실상 양분하고 있다.
올해 역시 D램 매출은 전년 대비 늘어날 것이라는 게 업계 중론이다.
한편 삼성전자는 이날 업계 최초로 3GB D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 HBM(HBM3E) 개발에 성공했다. 현재 고객사들에는 샘플을 보내고 있고, 상반기 중에는 양산에 돌입할 예정이라는 입장이다. 삼성전자는 올해 HBM을 생산하기 위해 실리콘 관통 전극(TSV) 생산 능력을 반도체 업계 최고 수준으로 키운다는 방침이다.
지난해 4분기 글로벌 D램 시장 총 매출액은 175억600만달러로, 직전 분기 대비 30.0% 증가한 수준이다. 이와 관련, D램 전체 매출은 지난해 1분기 93억6700만달러로 저점을 찍은 이후 2분기 111억700만달러, 3분기 134억6900만달러로 우상향 그래프를 그리고 있다.
;){kind=link}