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박규빈

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한종희 “갤럭시 전 제품 AI 적용 확대”…경계현 “원가 경쟁력·기술 리더십↑, 반도체 1위 탈환”

에너지경제신문   | 입력 2024.03.20 14:43

한 “생성형·온 디바이스 AI, 새로운 경험을 제공”
DS부문, 2030년까지 기흥 R&D 20조 투입 계획

삼성전자 사장단

▲한종희 삼성전자 대표이사(부회장·DX부문장)을 비롯한 사장단이 주주들의 질문에 답변하는 모습. 사진=삼성전자 제공

한종희 삼성전자 대표(부회장·DX 부문장)와 경계현 DS 부문장(사장)이 각각 자사 제품에 인공지능(AI)을 적용하고 반도체 시장 1위 자리를 되찾겠다는 포부를 내비쳤다.


20일 삼성전자는 경기도 수원시 광교중앙로 수원 컨벤션 센터에서 제55기 정기 주주총회를 열었다. 이날 재무제표 승인·사외이사 선임·감사위원 선임 등의 절차가 끝난 다음 삼성전자 측은 '2024년 사업 전략 공유' 세션을 가졌다.


이 자리에는 각 영역별 사장급 인사들이 나와 경영 계획에 대해 설파했다.


디바이스 익스피리언스(DX) 부문을 이끌고 있는 한 대표는 “모든 디바이스에 AI를 본격적으로 적용해 고객에게 생성형 AI와 온 디바이스 AI가 펼쳐갈 새로운 경험을 제공하겠다"고 공언했다.


스마트폰·폴더블·액세서리·XR 등 갤럭시 전제품에 AI 적용을 확대하고, 차세대 스크린 경험을 위해 AI 기반 화질·음질 고도화, 한 차원 높은 개인화된 콘텐츠 추천 등을 전개해 나간다고도 했다. 또 올인원 세탁·건조기 비스포크 AI 콤보를 통해 일반 가전 제품을 지능형 홈가전으로 업그레이드할 방침도 내놨다.




요컨대 집안에서는 갤럭시 스마트폰을 리모콘으로 활용해 집안 내 기기를 제어해 최적의 수면 환경을 제공하고, 가족의 응급 상황도 손쉽게 확인할 수 있으며 기기 안의 AI로 에너지 절약을 이뤄낸다는 것이다.


한 대표는 이에 맞춰 자사 보안 솔루션 '녹스'를 기반으로 초연결 AI 시대의 개인 정보 보호와 보안을 최우선으로 추진하겠다고도 밝혔다.


올해 글로벌 반도체 시장은 전년 대비 크게 성장한 6300억달러를 기록할 것으로 예상된다. 이에 따라 디바이스 솔루션(DS) 부문 매출도 2022년 수준으로 회복할 것으로 전망된다.


경계현

▲경계현 삼성전자 DS 부문장(사장)이 주주들에게 경영 전략에 대해 설명하는 모습. 사진=에너지경제신문 박규빈 기자

경계현 DS 부문 사장은 “우리의 노력에도 불구하고 메모리는 개발 경쟁력 측면에서 더 철저한 준비가 필요함이 여실히 드러났다"며 “파운드리와 시스템 LSI는 선두와의 격차, 세계 최고 AP 경쟁력 확보 등 도전 과제를 안겨줬다"고 언급했다.


메모리는 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램을 활용한 128기가바이트(GB) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 HBM 선행을 통해 HBM3·HBM3E 시장의 주도권을 탈환한다는 것이다.


또 경 사장은 D1c D램·9세대 V낸드·HBM4 등 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 재차 업계를 선도하고 첨단 공정 비중 확대·제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보하겠다는 포부도 내비쳤다.


파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 또 오토모티브·RF 등 특수 공정 완성도를 제고해 4·5·8·14나노 공정 성숙도를 높여 고객 포트폴리오를 확대한다.


시스템 LSI사업부의 SoC사업은 플래그십 제품군 경쟁력을 더욱 높여 오토모티브 신사업 확대 등 사업 구조를 고도화 할 계획이다. 이미지 센서는 일관 개발·생산 체계를 구축하고 픽셀 경쟁력을 강화한 차별화 제품으로 다양한 시장 진출을 추진할 계획이다. LSI는 DDI·PMIC 사업 구조를 개선해 SCM 효율을 끌어올리는 등 원가 경쟁력을 개선한다는 입장이다.


아울러 삼성전자는 미래를 위한 다양한 신사업을 준비할 계획이다.


지난해 시작한 '어드밴스드 패키지' 사업은 올해 2.5D 제품으로 1억달 이상 매출을 올릴 것으로 예상되며, 2.xD·3.xD·패널 레벨 등 업계가 필요로 하는 기술을 고객과 함께 개발해 사업을 성장시킬 계획이다.


또 실리콘 카바이드(SiC)·질화 갈륨(GaN) 등 차세대 전력 반도체와 AR 글래스를 위한 마이크로 LED 기술 등을 적극 개발해 2027년부터 시장에 적극 뛰어든다는 입장이다.


삼성전자 DS부문은 V낸드·로직 핀펫·GAA 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖춰왔다. 앞으로도 새로운 기술을 선행해 개발한다는 방침이다.


이를 달성하고자 삼성전자는 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입해 과감한 투자를 아끼지 않겠다고도 했다. 반도체 연구소를 양적·질적 측면에서 2배로 키우고, 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 하겠다는 계획에서다.


R&D 투자를 통해 얻어진 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자·체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 R&D에 재투자해 성장 기반을 강화하는 선 순환 구조를 구축해 나가겠다는 것이다.


경 사장은 “올해는 삼성전자가 반도체 사업을 시작한지 50년이 되는 해"라며 “본격 회복을 알리는 '재도약'과 DS 부문의 '미래 반세기를 개막하는 성장의 한해'가 될 것이고 2∼3년 내로 반도체 세계 1위 자리를 되찾겠다"고 다짐했다.


삼성전자 주주총회장

▲경기도 수원시 광교중앙로 소재 수원 컨벤션 센터에서 개최된 제55기 삼성전자 정기 주주총회 현장. 사진=에너지경제신문 박규빈 기자


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