![TSMC·삼성전자 CI 조형물. 사진=연합뉴스·박규빈 기자](http://www.ekn.kr/mnt/file_m/202408/news-p.v1.20240821.e381bf86c7274a68b5c52bc8cd67c96e_P1.png)
▲TSMC·삼성전자 CI 조형물. 사진=연합뉴스·박규빈 기자
대만 반도체 기업 TSMC가 유럽 생산 기지 건설에 착수해 현지에서 연간 수십만개의 웨이퍼를 생산할 수 있는 캐파를 갖추게 됐다. 경쟁사인 삼성전자 역시 생산 능력 증대를 위한 준비를 이어나가고 있다.
21일 업계에 따르면 TSMC는 전날 독일 동부 공업 지대 드레스덴에서 첫 유럽 공장 착공식을 개최했다. TSMC는 이곳에서 자동차·산업용 웨이퍼를 생산할 예정이다.
초도 물량 생산은 2027년 말경 시작하고 2029년 전면 가동 시 실리콘 웨이퍼를 현지에서 연간 48만개를 제조할 능력을 확보할 수 있다는 게 TSMC 측의 설명이다. 인공 지능(AI) 기술에 활용될 고부가가가치 시스템 반도체 수요가 급격히 증가하는 추세에 따라 유럽연합(EU)은 자체적인 반도체법을 제정했고 작년 9월부터 발효됐다.
TSMC는 독일 정부가 EU로부터 50억유로(한화 약 7조4239억원) 규모의 보조금 지급안을 승인받음에 따라 설비 투자의 상당 부분을 지원받게 됐다. 또 비슷한 규모의 액수를 EU 당국으로부터 받기로 해 총 14조8479억원에 이르는 지원금을 타게 됐다.
앞서 TSMC는 일본 구마모토에서는 클린룸을 갖춘 팹(FAB) 동·오피스동·가스 저장 시설을 갖춘 제1공장을 완공해 올해 올해 4분기부터 12·16·22·28㎚ 공정 제품을 생산할 예정이다. 또 연내 제2공장도 인근에 지어 2027년 말부터 가동에 들어간다.
이에 질세라 삼성전자도 증설에 박차를 가하고 있다.
앞서 삼성전자는 올해 5월 말 경영위원회를 개최해 경기도 평택시 소재 반도체 공장 P5에 공사 재개 안건을 논의한 것으로 알려졌다. 삼성물산 건설부문이 협력사들에 공사 중단을 요청한 것과 관련, 공급 과잉 우려를 의식한 삼성전자가 숨고르기에 나선 것 아니냐는 분석이 나왔지만 단순 일정 조율에 따른 것이었다는 게 당시 삼성전자 공식 입장이었다.
업계 관계자는 “P5에서 낸드·D램 어느 생산 라인이 들어갈지에 대해서는 전면 검토 중인 것으로 알고 있다"고 말했다.
이에 삼성전자 관계자는 “공사 진행 현황에 대해서는 확인이 불가하다"고 말했다.
아울러 삼성전자는 미국 텍사스주 테일러시에 33조원 규모의 반도체 공장을 짓고 있다. 텍사스 지역 매체들은 파운드리 가동 시점이 2년 가량 늦춰질 것이라고 보도하고 있지만 삼성전자는 올해 1분기 컨퍼런스 콜을 통해 “파운드리 시장 고객 수주 상황에 맞게 계획대로 차질 없이 2026년 생산 일정을 맞출 수 있다"고 표명했다.
삼성전자는 테일러에 연구·개발(R&D)·첨단 패키지 라인을 투자 범위에 넣어두고 있고, 노드·응용별 전략을 구체화 함과 동시에 기술 개발·제조·비즈니스 역량에 대한 파운드리 경쟁력 강화를 추진하고 있다.
첨단 노드의 지속적인 기술 경쟁력 확보를 위해 삼성전자는 2나노 공정 적기 개발을 추진함과 동시에 고객 확대에 나선다는 방침이다. 성숙 노드는 고객 수요에 대응하기 위해 스페셜티 공정에 대한 꾸준한 투자·개발로 수익성 개선과 노드 장기 활용이 동시에 이뤄질 수 있는 전략을 마련하고 있다.
또한 개발부터 양산까지의 사업화를 고려한 최적 라인 운영·공급 능력 확대도 지속 준비 중이다.
삼성전자 DS 부문 파운드리 사업부 관계자는 “글로벌 시장 수요 회복 지연에 따른 부진 장기화 극복을 위해 선단 공정에서의 지속적인 기술 경쟁력 강화를 통해 중장기 수요 확보에 집중하고 있다"며 “성숙 공정에서는 고객 중심의 디자인 인프라를 제공하고, 고수익 응용처 확대를 도모하고 있다"고 설명했다.