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[에너지경제신문 여헌우 기자] 재계에서 ‘통큰 투자’를 발표한 반도체(C, Chip)는 이미 글로벌 시장에서 ‘쩐의 전쟁’이 벌어지고 있는 분야다. 삼성, SK 등 우리나라 대표 기업들이 수백조원대 투자를 예고하긴 했지만 ‘왕좌’를 차지하기 위해서는 소재 역량 강화, 파운드리 신사업 확장 등 풀어야 할 숙제가 많다는 분석이다.
29일 업계에 따르면 윤석열 정부 출범을 계기로 국내 주요 11개 기업이 1060조원대 투자 계획을 발표했다. 이 중 66% 이상인 700억원 가량은 삼성과 SK가 5년간 투입하기로 한 금액이다. 업체별로는 삼성이 450조원, SK가 247조원이다. 양사 모두 투자금의 절반 가량은 반도체 역량 강화에 쓸 전망이다. 재계 투자 계획의 상당 수준을 반도체 분야가 차지한다고 볼 수 있는 셈이다.
삼성의 경우 앞으로 5년간 집행할 투자를 지난 5년간 쏟은 330조원 대비 120조원 늘리기로 했다. 연평균 투자 규모로 따지면 30% 이상 늘어난 수치다. 삼성은 반도체에서 메모리 초격차를 확대하고 팹리스 시스템반도체·파운드리에서 역전하면 반도체 3대 분야를 모두 주도하는 초유의 기업으로 도약 가능하다고 보고 있다.
삼성전자 관계자는 "삼성의 파운드리 사업이 세계 1위로 성장할 경우 삼성전자보다 큰 기업이 국내에 추가로 생기는 것과 비슷한 경제적 효과가 있다"고 내다봤다.
구체적으로 지난 30년간 선도해 온 메모리 분야에 향후 5년간 지속투자해 ‘초격차’ 위상을 강화한다는 계획이다. 공정 미세화의 한계를 극복할 수 있는 신소재·신구조에 대한 연구개발(R&D)을 강화하고, 반도체 미세화에 유리한 극자외선(EUV) 기술을 조기에 도입하는 등 첨단기술을 선제적으로 적용할 방침이다.
삼성전자는 지난해 10월 EUV 공정을 적용한 14나노미터(nm) D램 양산을 발표했다. 삼성전자의 14nm D램은 마이크론의 10나노급 4세대 D램보다 선폭이 더 짧아 마이크론에 비해 ‘앞선 기술력’을 확인했다는 평가다. 삼성전자는 또 14nm D램 생산에 EUV 장비를 활용하는 레이어(layer·층)를 5개로 확대했다. 멀티 레이어 공정을 사용한 업체는 삼성전자가 최초다.
관건은 팹리스 시스템반도체와 파운드리다. 삼성이 시장에서 ‘후발주자’로 분류되는 분야라 역전을 위한 과감한 행보가 절실하기 때문이다. 삼성전자는 △고성능·저전력 AP △5G·6G 통신모뎀 등 초고속통신 반도체 △고화질 이미지센서 등 4차 산업혁명 구현에 필수불가결한 팹리스 시스템반도체 및 센서 중심으로 경쟁력을 확보한다는 구상이다. 파운드리 사업은 기존에 없던 차별화된 차세대 생산 기술을 개발·적용해 3나노 이하 제품을 조기 양산할 계획이다.
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SK그룹의 경우 5년간 투자 금액을 발표하며 업종별 우선순위를 보다 상세하게 정한 상태다. 전체 투자금 247조원 중 반도체(Chip), 배터리(Battery), 바이오(Bio) 등에 투자금의 80% 이상을 집행한다는 계획이다.
SK는 특히 절반 이상인 반도체와 반도체 소재 역량 강화에 142조 2000억원을 쓴다. 용인 반도체 클러스터 조성을 비롯해 반도체 펩(Fab) 증설, 특수가스와 웨이퍼 같은 소재·부품·장비 관련 설비 증설 등이 투자 대상이다.
특히 용인 반도체 클러스터와 같은 반도체 및 소재 분야 투자는 지역경제 활성화와 2·3차 협력업체의 투자와 고용 창출로 이어져 경제 파급 효과가 커진다는 점에서 대·중소기업과 지역사회와의 상생에 기여할 것으로 재계는 기대하고 있다.
미국, 중국을 비롯한 주요국들은 반도체 산업의 중요성을 인식, 전략화에 나서고 있는 상태다. 이 때문에 우리나라가 점유율 1위를 기록 중인 메모리 분야에서는 미국과 중국 기업의 견제와 추격이 거세지고 있다. 팹리스 시스템반도체와 파운드리는 경쟁사들이 리더십 확보를 위해 적극적인 투자에 나선 상황이다. 이 때문에 업계에서는 정부가 보다 적극적인 규제 완화와 지원 정책을 펼쳐 우리나라 반도체 산업 역량을 강화할 수 있도록 도와야 한다는 목소리가 나온다.
yes@ekn.kr
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