SK하이닉스 “D램 초격차로 반도체 30년 선도”

▲SK하이닉스가 IEEE VLSI 심포지엄 2025에서 향후 회사의 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공식 발표하며 지속 가능한 혁신 방향성을 제시했다. 사진은 SK하이닉스 이천캠퍼스 전경.

SK하이닉스가 D램 미세화 한계를 넘을 차세대 기술 로드맵을 공개했다.

4F² VG 플랫폼과 3D D램 기술에 기반해 D램 구조 혁신과 지속 가능한 기술 진화를 이끌겠다는 전략이다.

10일 SK하이닉스와 업계에 따르면, 이번 로드맵은 8~12일 닷새간 일본 교토에서 열리는 세계 최고 권위의 반도체 학술대회 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'에서 처음 공개됐다.

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(최고기술책임자·CTO)은 기조연설을 통해 '지속 가능한 미래를 위한 D램 기술의 혁신 주도'를 주제로 차세대 메모리 기술의 핵심 방향을 제시했다.

차 CTO는 “현 세대 D램 기술은 기존 공정 플랫폼의 물리적 한계에 직면해 있다"며 “10나노미터(㎚) 이하 공정에서는 구조, 소재, 구성 요소 전반의 혁신이 요구된다"고 강조했다. 이를 해결할 핵심 기술로 '4F² VG 플랫폼'과 '3D D램'이 소개됐다.

4F² VG 플랫폼은 셀 면적을 최소화하고, 수직 게이트 구조를 적용해 고집적·고속·저전력 특성을 구현할 수 있는 차세대 메모리기술이다. 기존 6F² 대비 셀을 더 촘촘하게 배치할 수 있으며, 회로부를 셀 하부에 배치하는 '웨이퍼 본딩' 기술을 병행하면 전기적 특성까지 향상시킬 수 있다. 이는 집적도 향상뿐 아니라 전력 효율과 성능의 새로운 기준을 제시한다는 점에서 의미가 크다.

또한 SK하이닉스는 '3D D램' 기술도 병행 개발 중이다. 업계 일각에서는 적층 수 증가에 따른 제조비용 부담을 우려하지만, 회사는 공정 최적화와 설계 혁신을 통해 경쟁력을 확보하겠다는 입장이다.

회사 관계자는 “구조적 혁신을 넘어, 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하겠다"며 “이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다"고 강조했다.

김윤호 기자 kyh81@ekn.kr