SK하이닉스의 D램 진화…증권가도 기업가치·주가 전망 ‘우상향’

▲SK하이닉스 이천 본사. 연합뉴스

SK하이닉스가 차세대 D램(DRAM, 데이터를 일시 저장하는 휘발성 메모리 기술) 로드맵을 공식화하며 기술 전환기의 주도권 확보에 나섰다. 증권가는 D램 중심의 실적 회복세와 고부가 라인업 확장, 수직 게이트·3D D램 기반의 중장기 기술 모멘텀에 주목하고 있다.

하이닉스는 10일 일본에서 열린 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'에서 수직 게이트 기반의 4F² 플랫폼과 3D D램 기술을 공개했다. 기존 평면형 셀 구조를 넘어, 회로를 셀 하단에 배치하는 방식으로 고집적·저전력 설계가 가능한 구조다.

증권가는 이번 발표가 하이닉스의 중장기 기업가치 리레이팅 요인으로 작용할 수 있다고 판단하고 있다. 하이닉스는 현재 HBM3e 제품을 엔비디아에 독점 공급 중이며, 차세대 HBM4도 주요 고객사와 샘플 테스트 단계에 돌입했다. 고대역폭 메모리(HBM) 시장 선점 효과와 미세공정 경쟁력이 맞물리며 수익성 구조가 한층 고도화되고 있다는 분석이다.

이러한 전략은 실적 지표에서도 확인된다. 하이닉스는 1분기(1Q25) 매출 17조6000억원, 영업이익 7조4000억원(영업이익률 42%)을 기록하며 컨센서스(6조6000억원)를 큰 폭으로 상회했다. 2분기에는 D램 평균판매단가(ASP) 반등과 HBM3e 출하 확대가 맞물리며, 수익성 개선 흐름이 이어질 것으로 기대된다.

D램은 하이닉스 전체 실적의 핵심 동력이다. 키움증권은 올해 D램 부문 매출을 64조1000억원, 영업이익을 35조5000억원으로 추정하며, 전체 영업이익의 90% 이상이 이 부문에서 발생할 것으로 내다봤다. D램 부문 영업이익률은 약 55% 수준으로 예상된다.

하이닉스는 D램 분야에서 확고한 경쟁력을 바탕으로 수익성을 방어하고 있다. 특히 고부가 제품인 HBM3e가 수익성의 중심축으로 자리잡으면서, 과거 메모리 사이클과는 다른 실적 구조를 형성하고 있다는 평가다.

대신증권은 “HBM 기반 수익성 강화 속 연내 순현금 구조 전환이 예상되고, NAND 경쟁력도 향상되고 있다"고 분석했다.

하이닉스는 1a→1b→1c로 이어지는 미세공정 전환 과정에서 기술 경쟁력을 꾸준히 축적해 왔으며, 최근에는 1c 공정 수율이 80% 후반까지 안정화돼 원가 경쟁력 확보에도 기여하고 있다.

실적 전망도 가파르다. 연결 기준 영업이익은 2023년 -7조7300억원에서 올해 23조4670억원, 내년에는 최대 37조6920억원까지 회복될 것으로 전망된다. 2분기 실적 역시 시장 예상치인 9조1000억원을 상회할 가능성이 크다.

주가 흐름도 우상향이다. 실제로 연초 이후 SK하이닉스 주가는 약 20% 상승해 23만원 초반대에 근접하고 있다. 외국인 지분율은 53~55% 수준까지 회복됐다. 증권가에서는 하이닉스를 반도체 업종의 '탑픽'으로 제시했다.

류형근 대신증권 연구원은 “1c 공정의 조기 안정화와 HBM 수익성 강화가 밸류에이션 재평가의 촉매가 될 것"이라며 목표주가를 28만원으로 제시했다.

박유악 키움증권 연구원은 “단기 실적과 중장기 기술 모멘텀이 동시에 작동 중"이라며 목표주가 26만원을 유지했다.

이수림·김진형 DS투자증권 연구원은“1b D램 전환 및 M15X 투자, 2026년 1c D램 양산 등 실적 가시성이 높고, 밸류에이션까지 감안할 때 업종 내 톱픽으로 추천한다"며 목표주가를 가장 높은 29만원으로 제시했다.

윤수현 기자 ysh@ekn.kr