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강현창

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삼성전자도 인정… 위협적인 中 메모리 성장세 대응해야

에너지경제신문   | 입력 2024.10.14 14:54

中 CXMT·YMTC, 레거시 시장서 약진

정부 지원 업고 기술력·생산량 급성장

삼성 “기술 경쟁력 복원” 대응 나서

HBM 등 첨단 제품 개발 승부수 관건

자료사진. 삼성전자와 협력사 직원이 반도체 설비를 살펴보고 있다.

▲삼성전자 직원(좌)과 이오테크닉스 직원이 양사가 공동 개발한 반도체 레이저 설비를 함께 살펴보고 있다. 사진=삼성전자

삼성전자의 실적 부진 이유로 중국 메모리 업체의 레거시(구식)제품 공급이 원인으로 지목되면서 반도체 업계의 판도 변화가 감지된다. 그동안 메모리 반도체 시장은 삼성전자의 독주나 마찬가지였다. 신기술을 적용한 제품 뿐만 아니라 레거시 제품도 삼성전자의 입지가 단단했다.


하지만 최근 중국 업체의 레거시 시장 침투가 삼성전자의 실적을 위협하는 수준으로 성장했다는 분석이다. 이번 실적 발표에서도 삼성전자가 공식적으로 중국 레거시 제품의 공급이 실적 저하의 원인 중 하나로도 인정하기도 했다.


중국발 '레거시 반격'…메모리 판도 흔들

14일 반도체업계에 따르면 삼성전자는 지난 3분기 실적 발표에서 “중국 메모리 업체의 레거시 제품 공급 증가에 실적이 영향을 받았다"고 밝혔다.


최근 중국의 레거시 메모리 시장에서는 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)의 성장세가 두드러진다.


CXMT는 2016년 설립 이후 중국 정부의 전폭적인 지원을 받아 급성장했다. 노무라증권에 따르면 CXMT의 월간 DRAM 생산능력은 2023년 말 12만 장에서 2024년 1분기 16만 장으로 증가했으며, 2024년 말에는 20만 장에 이를 것으로 예상된다. 이는 글로벌 DRAM 생산의 약 11%를 차지하는 규모다.




기술력도 빠르게 발전하고 있다. 현재 17nm, 18nm DDR4와 LPDDR4 제품을 주력으로 생산하고 있으며, 최근에는 18.5nm 공정의 DRAM 생산을 시작했다. 최근에는 HBM(High Bandwidth Memory) 개발에도 착수했다고 알려졌다.


YMTC 역시 빠른 성장세를 보이고 있다. YMTC는 최근 232층 QLC 3D NAND 양산에 성공했다고 발표했다. 이는 삼성전자와의 기술 격차를 약 2년으로 좁힌 것으로 평가받고 있다.


YMTC 측은 자체 개발한 Xtacking 3.0 기술을 적용해 성능과 수율을 개선한 결과라고 자찬하고 있다.


최근 YMTC는 미국 수출규제를 돌파하기 위해 한국은 물론 일본, 대만 등의 장비 공급업체들과 협력을 모색하다.


중국 업체의 약진으로 시장 점유율 변화도 뚜렷하다. 글로벌 리서치사인 호라이즌에 따르면 지난 2023년 기준 중국의 글로벌 반도체 메모리 시장 점유율은 약 17.67%에 달한다.


특히 CXMT의 경우 계획대로 생산능력을 확대할 경우 글로벌 DRAM 시장의 15%까지 점유율을 높일 수 있을 것으로 전망된다.


중국, 국가 주도 반도체 굴기…기술 패권 경쟁 중

한편 중국 기업들의 성장 배경에는 중국 정부의 적극적인 지원이 있다는 분석이다.


미중 무역 갈등과 기술 패권 경쟁이 심화하면서 중국은 반도체 자급률 제고를 국가적 과제로 삼고 대규모 투자와 정책적 지원을 아끼지 않고 있다. '빅펀드'로 알려진 대규모 투자 프로그램을 통해 반도체 산업에 상당한 규모의 투자가 이루어지고 있다.


그 결과 중국 기업들의 급성장으로 레거시 제품이 주 품목인 중저가 제품 시장에서의 경쟁이 더욱 치열해지면서 삼성전자의 실적에도 악영향을 끼치는 것으로 분석된다. 일부 업체는 HBM 시장에도 도전하고 있다는 점에서 삼성전자의 중국을 향한 긴장감은 중장기적인 이슈가 될 전망이다.


삼성의 생존 전략…HBM 등 첨단 기술로 승부봐야

삼성전자도 현재 상황의 타파를 위해 다각도의 노력을 기울이고 있다. 키워드는 '기술'이다.


전영현 삼성전자 DS부문장은 이번 실적 발표 후 이례적으로 메시지를 발표하며 “근원적인 기술 경쟁력을 복원하겠다"고 강조했다. 최첨단 제품에서의 기술 우위를 더욱 강화하겠다는 의지를 표명한 것으로 해석된다.


실제 삼성전자는 중국의 침투가 심해진 레거시 제품에서 최신 제품으로의 공정 전환을 적극 추진하고 있다. 1b D램(5세대 10나노급)의 생산량 확대를 계획하고 있으며, 올해까지 월 10만장 가량의 생산능력 확보를 목표로 하고 있다.


가장 극적인 효과를 기대할 수 있는 것은 HBM이다. 아직은 삼성전자는 HBM 분야에서도 어려움을 겪고 있다. 경쟁사인 SK하이닉스가 이미 엔비디아에 HBM3E를 공급하고 있는 상황에서, 이는 삼성전자에게 큰 부담으로 작용하고 있다.


한 반도체 업계 관계자는 “삼성전자가 이번 실적 발표에서 중국 기업을 언급한 것은 일단 실적 변동에 대한 이해를 구하는 의도"라며 “또 중국 기업들이 정부의 전폭적인 지원을 받아 빠르게 성장하고 있는 상황에서, 한국 정부의 적극적인 지원과 정책적 조치를 촉구하는 의미도 읽힌다"고 말했다.



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